9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的VS-HFA04SD60SHM3,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。VS-HFA04SD60SHM3参考价格为0.95898美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division VS-HFA04SD60SHM3封装/规格:DIODE GEN PURP 600V 4A TO252。您可以下载VS-HFA04SD60SHM3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到您想要的,您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系,例如VS-HFA04SD60SHM3价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系,并为您提供优质服务。
VS-GT50TP60N,带有引脚细节,包括INT-A-PAK(3+4)封装盒,它们设计为与底盘安装型一起工作,数据表说明中显示了用于INT-A-PA的供应商设备封装,该封装提供标准等输入功能,配置设计为在半桥中工作,以及208W最大功率,该器件还可以用作85A集流器Ic最大值。此外,集流器发射极击穿最大值为600V,该器件提供1mA集流管截止最大值,该器件具有IGBT型沟槽,最大Vge Ic上的Vce为2.1V@15V,50A,输入电容Cies Vce为3.03nF@30V,NTC热敏电阻为No。
带有用户指南的VS-GT75NP120N,包括1200V集电极-发射极击穿最大值,它们设计为在最大Vge Ic上以2.08V@15V、75A(典型)Vce运行,数据表说明中显示了用于INT-a-PAK的供应商设备包,该包提供功率最大值功能,如446W,该设备也可以用作底盘安装型。此外,输入电容Cies Vce为9.45nF@30V,该设备提供标准输入,该设备具有150A的集流器Ic最大值,集流器截止最大值为1mA,配置为单一。
VS-GT75LP120N带有电路图,包括半桥配置,它们设计为在最大电流为5mA的情况下工作,电流收集器Ic最大值如数据表注释所示,用于150A,提供标准输入功能,输入电容Cies Vce设计为在5.52nF@25V下工作,以及底盘安装安装类型,该器件也可以用作无NTC热敏电阻。此外,封装外壳为INT-A-Pak,该器件提供543W最大功率,该器件具有供应商器件封装的INT-A-Pak,最大Vge Ic上的Vce为2.35V@15V,75A,集电极-发射极击穿最大值为1200V。