9icnet为您提供由GeneSiC Semiconductor设计和生产的S25J，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。S25J的参考价格为5.24850美元。GeneSiC半导体S25J封装/规格：DIODE GEN PURP 600V 25A DO203AA。您可以下载S25J英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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S25G是DIODE GEN PURP 400V 25A DO203AA，包括S25系列，它们设计用于标准回收整流器产品，包装如数据表注释所示，用于散装，提供单位重量功能，如0.246918盎司，安装方式设计用于通孔，以及DO-203AA、DO-4、螺柱包装箱，该设备也可用作机箱，螺柱安装安装类型。此外，速度为标准恢复>500ns，>200mA（Io），该器件为标准二极管类型，该器件具有10μa@50V电流反向泄漏Vr，电压正向Vf Max If为1.1V@25A，电压反向Vr Max为400V，电流平均整流Io为25A，其工作温度结范围为-65°C ~ 175°C，Vf正向电压为1.1V，Vr反向电压为400V，Ir反向电流为10uA，If正向电流为25A，最大浪涌电流为373A。
S25GR是二极管GEN REV 400V 25A DO203AA，包括1.1V@25A电压正向Vf Max。如果设计为在400V电压直流反向Vr Max下运行，速度如数据表注释所示，用于标准恢复>500ns，>200mA（Io），提供散装等包装功能，包装箱设计用于DO-203AA，DO-4，螺柱，它具有-65°C~175°C的工作温度连接范围，该设备也可以用作底盘、螺柱安装型。此外，二极管类型为标准型，反向极性，器件提供10μA@50V电流反向泄漏Vr，器件具有25A电流平均整流Io。
S25FS512SDSNFV013是Cypress制造的闪存。是存储器的一部分，支持闪存、Flash-NOR存储器IC 512Mb（64M x 8）SPI-四路I/O、QPI 80MHz、NOR闪存串行SPI 1.8V 512M位512M/256M/128M x 1/2位/4位8ns 8引脚WSON EP T/R。
