9icnet为您提供由GeneSiC Semiconductor设计和生产的S25MR，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。S25MR参考价格为5.24850美元。GeneSiC半导体S25MR封装/规格：DIODE GEN PURP 1KV 25A DO220AA。您可以下载S25MR英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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S25KR是DIODE GEN REV 800V 25A DO203AA，包括S25系列，它们设计用于标准回收整流器产品，包装如数据表注释所示，用于散装，提供单位重量功能，如0.246918盎司，安装方式设计用于通孔，以及DO-203AA、DO-4、螺柱包装箱，该设备也可用作机箱、，螺柱安装安装类型。此外，速度为标准恢复>500ns，>200mA（Io），该器件为标准反向极性二极管类型，该器件具有10μa@50V电流反向泄漏Vr，电压正向Vf Max If为1.1V@25A，电压直流反向Vr Max为800V，电流平均整流Io为25A，其工作温度结范围为-65°C ~ 175°C，Vf正向电压为1.1V，Vr反向电压为800V，Ir反向电流为10uA，If正向电流为25A，最大浪涌电流为373A。
S25K是DIODE GEN PURP 800V 25A DO203AA，包括800V Vr反向电压，它们设计为在1.1V@25A电压正向Vf Max下工作。如果数据表注释中显示了800V中使用的电压DC反向Vr Max，其提供了1.1 V等Vf正向电压特性，单位重量设计为在0.246918 oz下工作，以及标准恢复>500ns，>200mA（Io）速度，该设备也可以用作S25系列。此外，该产品为标准回收整流器，该设备采用散装包装，该设备具有DO-203AA、DO-4、螺柱封装外壳，其工作温度结范围为-65°C~175°C，安装方式为通孔，安装类型为底盘、螺柱安装，最大浪涌电流为373 a，Ir反向电流为10 uA，如果正向电流为25A，二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为10μA@50V，电流平均整流Io为25A。
S25M是DIODE GEN PURP 1KV 25A DO203AA，包括25A电流平均整流Io，它们设计为在10μa@50V电流反向泄漏Vr下工作，二极管类型如数据表注释所示，用于标准，该标准提供了如25A、Ir反向电流等正向电流功能，设计为在10uA下工作，以及373 a最大浪涌电流，该设备也可以用作底盘、螺柱安装型。此外，安装类型为通孔，其工作温度结范围为-65°C~175°C，装置具有DO-203AA、DO-4、包装箱螺柱，包装为散装，产品为标准回收整流器，系列为S25，速度为标准回收>500ns，>200mA（Io），单位重量为7g，Vf正向电压为1.1V，电压DC反向Vr Max为1000V（1kV），电压正向Vf Max If为1.1V@25A，Vr反向电压为1000V。
