9icnet为您提供由GeneSiC Semiconductor设计和生产的1N2128AR，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。1N2128AR参考价格为9.46633美元。GeneSiC半导体1N2128AR封装/规格：DIODE GEN PURP REV 50V 60A DO5。您可以下载1N2128AR英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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1N2128A是DIODE GEN PURP 50V 60A DO5，包括1N2128系列，它们设计用于标准回收整流器产品，包装如数据表注释所示，用于散装，提供单位重量功能，如1.005308 oz，安装样式设计用于螺柱，以及DO-203AB、DO-5螺柱包装箱，该设备也可以用作底盘，螺柱安装安装类型。此外，供应商设备包为DO-5，该设备的标准恢复时间>500ns，>200mA（Io）速度，该设备具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为10μa@50V，正向电压Vf Max If为1.1V@60A，直流反向电压Vr Max为50V，平均整流电流Io为60A，其工作温度结范围为-65°C~200°C，Vf正向电压为1.1 V，Vr反向电压为50 V，Ir反向电流为10 uA，如果正向电流为60 A，最大浪涌电流为1050 A。
1N2059是DIODE GEN PURP 300V 250A DO205AB，包括1.25V@250A电压正向Vf Max。如果设计为在300V电压直流反向Vr Max下运行，则供应商设备包如数据表注释所示，用于DO-205AB、DO-9，提供速度特性，如标准恢复>500ns、>200mA（Io），螺柱组件外壳，其工作温度范围为-65°C~200°C。此外，安装类型为底座、螺柱安装，该设备为标准二极管类型，该设备具有17mA@300V电流反向泄漏Vr，电流平均整流Io为250A。
1N21，电路图由ASI制造。是IC芯片的一部分。
