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R60100-3SR是熔断器BLOK CART 600V 100A底盘,包括R类,用于相关产品,设计为黑色,系列如数据表注释所示,用于R600,提供保险丝盒等产品功能,包装设计为散装工作,以及R60100-3SR-零件别名,该设备也可用于0.016000盎司单位重量。此外,极数为3极,该设备的额定电流为100A,该设备具有端接式螺纹端子,额定电压为600 V,安装类型为底盘安装,电路数为3,电压为600V,照明不亮,保险丝类型为盒式,保险丝座类型为块状,保险丝尺寸为1.34“直径x 7.88”长(34mm x 200mm)。
R6011225XXYA是DIODE GEN PURP 1.2KV 250A DO205,包括1.5V@800A正向电压Vf Max。如果设计为在1200V(1.2KV)直流反向电压Vr Max下运行,则数据表说明中显示了DO-205AB、DO-9中使用的供应商设备包,其提供速度特性,如标准恢复>500ns,>200mA(Io),反向恢复时间trr设计为11μs,除了散装包装外,该设备还可以用作DO-205AB、DO-9、螺柱包装箱,其工作温度结范围为-65°C~175°C,该设备为底盘螺柱安装型,该设备具有二极管型标准,电流反向泄漏Vr为50mA@1200V,电流平均整流Io为250A。
R6010ANX是MOSFET Nch 600V 10A MOSFET,包括10 A Id连续漏电流,其最大工作温度范围为+150 C,安装方式如数据表注释所示,用于通孔,提供TO-220-3等封装外壳功能,封装设计为散装工作,以及50 W Pd功耗,该器件也可以用作漏极-源极电阻560mOhms Rds。此外,该技术是Si,该器件提供N沟道晶体管极性,该器件的单位重量为0.211644盎司,Vds漏极-源极击穿电压为600 V。