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R6021025HSYA是DIODE GEN PURP 1KV 250A DO205，包括散装包装，它们设计用于DO-205AB、DO-9、螺柱封装外壳，安装类型如数据表注释所示，用于底盘、螺柱安装，提供供应商设备封装功能，如DO-205AA、DO-9，速度设计用于标准恢复>500ns、>200mA（Io），以及标准二极管类型，该器件还可以用作50mA@1000V电流反向泄漏Vr。此外，正向电压Vf Max If为2V@800A，该器件提供1000V（1kV）直流反向电压Vr Max，该器件具有250A的平均整流电流Io，反向恢复时间trr为1μs，其工作温度结范围为-45°C~150°C。
R6021022PSYA是DIODE GEN PURP 1KV 220A DO205，包括2.75V@800A电压正向Vf Max。如果设计为在1000V（1KV）电压直流反向Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于DO-205AB、DO-9的供应商设备包，该设备提供快速恢复=20mA（Io）等速度特性，反向恢复时间trr设计为500ns，除了散装包装外，该设备还可以用作DO-205AB、DO-9、螺柱包装箱，其工作温度结范围为-45°C~150°C，该设备为底盘螺柱安装型，该设备具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为50mA@1000V，电流平均整流Io为220A。
R6020FNX是MOSFET Trans MOSFET N-CH 600V 20A，包括20 A Id连续漏极电流，它们设计为通孔安装型，通道数量如数据表注释所示，用于1通道，提供to-220-3等封装外壳功能，封装设计为批量工作，以及250 mOhms Rds漏极源极电阻，该装置也可用作R6020FNX系列。此外，该技术是Si，该器件提供N沟道晶体管极性，该器件具有1个晶体管型N沟道，单位重量为0.211644盎司，Vds漏极-源极击穿电压为600伏。
