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R7011203XXUA是DIODE GEN PURP 1.2KV 300A DO200,包括散装包装,它们设计用于DO-200AA、a-PUK封装盒,安装类型如数据表注释所示,用于提供DO-200AA和R62等供应商设备封装功能的底盘、螺柱安装,速度设计用于标准恢复>500ns、>200mA(Io)以及标准二极管类型,该器件还可以用作50mA@1200V电流反向泄漏Vr。此外,电压正向Vf Max If为2.15V@1500A,该器件提供1200V(1.2kV)电压直流反向Vr Max,该器件具有300A的电流平均整流Io,反向恢复时间trr为9μs,其工作温度结范围为-65°C~200°C。
R7011204XXUA是DIODE GEN PURP 1.2KV 450A DO200,包括1.6V@1500A电压正向Vf Max。如果设计为在1200V(1.2KV)电压直流反向Vr Max下运行,则数据表说明中显示了用于DO-200AA、R62的供应商设备包,其提供速度特性,如标准恢复>500ns、>200mA(Io),反向恢复时间trr设计为在11μs内工作,除了散装包装外,该设备还可以用作DO-200AA、A-PUK包装箱,其工作温度结范围为-65°C~175°C,该设备采用底座、螺柱安装型,该设备具有二极管型标准,电流反向泄漏Vr为50mA@1200V,电流平均整流Io为450A。
R7011005XXUA是DIODE GEN PURP 1KV 550A DO200,包括550A电流平均整流Io,它们设计为在50mA@1000V电流反向泄漏Vr下工作,二极管类型如数据表注释所示,用于标准中,该标准提供安装类型功能,如底盘、螺柱安装,其工作温度结范围为-65°C~150°C,以及DO-200AA,A-PUK包装箱,该设备也可以用作散装包装。此外,反向恢复时间trr为15μs,该设备的标准恢复时间>500ns,>200mA(Io)速度,该设备具有DO-200AA,供应商设备包的R62,电压DC反向Vr Max为1000V(1kV),电压正向Vf Max If为1.2V@1500A。