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R6030635ESYA是DIODE GEN PURP 600V 350A DO205AB，包括散装包装，它们设计用于DO-205AB、DO-9、螺柱包装箱，安装类型如数据表注释所示，用于底盘、螺柱安装，提供供应商设备包装功能，如DO-205AA、DO-9，速度设计用于标准恢复>500ns、>200mA（Io）、，与标准二极管类型一样，该器件也可以用作50mA@600V电流反向泄漏Vr。此外，正向电压Vf Max If为1.5V@800A，该器件提供600V直流反向电压Vr Max，该器件具有350A的平均整流电流Io，反向恢复时间trr为2μs，其工作温度结范围为-45°C ~ 150°C。
R6030625HSYA是DIODE GEN PURP 600V 250A DO205AB，包括2V@800A电压正向Vf Max。如果设计为在600V电压直流反向Vr Max下运行，则数据表说明中显示了DO-205AB、DO-9中使用的供应商设备包，该设备提供速度特性，如标准恢复>500ns，>200mA（Io），反向恢复时间trr设计为1μs，除了散装包装外，该设备还可以用作DO-205AB、DO-9、螺柱封装外壳，其工作温度结范围为-45°C~150°C，该设备为底盘螺柱安装型，该设备具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为50mA@600V，电流平均整流Io为250A。
R6030822PSYA是DIODE GEN PURP 800V 220A DO205AB，包括220A电流平均整流Io，它们设计为在800V电流反向泄漏Vr下工作50mA，二极管类型如数据表注释所示，用于标准中，该标准提供安装类型功能，如底盘、螺柱安装，其工作温度结范围为-45°C~150°C，以及DO-205AB，DO-9，螺柱包装箱，该设备也可以用作散装包装。此外，反向恢复时间trr为500ns，该设备以快速恢复=20mA（Io）速度提供，该设备具有DO-205AB，DO-9供应商设备包，电压DC反向Vr Max为800V，电压正向Vf Max If为2.75V@800A。
