9icnet为您提供由GeneSiC Semiconductor设计和生产的FR6KR05，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。FR6KR05参考价格5.33550美元。GeneSiC Semiconductor FR6KR05封装/规格：DIODE GEN PURP REV 800V 6A DO4。您可以下载FR6KR05英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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FR6J-TP是DIODE GEN PURP 600V 6A DO214AB，包括FR6J系列，设计用于快速恢复整流器产品，包装如数据表注释所示，用于Digi-ReelR替代包装，提供单位重量功能，如0.001199盎司，安装类型设计用于SMD/SMT，其工作温度范围为-50℃至+150℃，该装置也可以用作DO-214AB、SMC包装盒。此外，安装类型为表面安装，该设备采用DO-214AB（SMC）供应商设备包提供，该设备具有单一配置，速度快速恢复=200mA（Io），二极管类型为标准型，电流反向泄漏Vr为10μa@600V，正向电压Vf Max If为1.3V@6A，直流反向电压Vr Max为600V，电流平均整流Io为6A，反向恢复时间trr为250ns，其工作温度结范围为-55°C~150°C，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，Vf正向电压为1.3 V，Vr反向电压为600 V，Ir反向电流为10 uA，如果正向电流为6A，最大浪涌电流为300A，恢复时间为250ns。
FR6JR05是DIODE GEN PURP REV 600V 6A DO4，包括600 V Vr反向电压，设计用于在1.4V@6A电压正向Vf Max下运行。如果数据表注释中显示了用于600V的直流反向Vr Max，提供1.4 V等正向电压特性，单位重量设计用于0.246918盎司，以及DO-4供应商设备包，该设备也可以用作快速恢复＝200mA（Io）速度。此外，该系列为FR6J，该设备提供500ns反向恢复时间trr，该设备具有500ns的恢复时间，产品为快速恢复整流器，包装为散装，包装箱为DO-203AA、DO-4、螺柱，其工作温度接合范围为-65°C~150°C，安装方式为通孔，安装类型为底盘、螺柱安装，最大浪涌电流为135 A，Ir反向电流为25 uA，如果正向电流为6 A，二极管类型为标准，反向极性，电流反向泄漏Vr为25μA@50V，电流平均整流Io为6A。
FR6K05是DIODE GEN PURP 800V 6A DO4，包括6A电流平均整流Io，它们设计为在25μa@50V电流反向泄漏Vr下工作，二极管类型如数据表注释所示，用于标准，该标准提供了如果正向电流特性，如6 a，Ir反向电流设计为25 uA，以及135 a最大浪涌电流，该设备也可以用作底盘、螺柱安装型。此外，安装类型为通孔，其工作温度结范围为-65°C~150°C，装置具有DO-203AA、DO-4、包装箱螺柱，包装为散装，产品为快速恢复整流器，恢复时间为500ns，反向恢复时间trr为500ns；系列为FR6K，速度为快速恢复=20mA（Io），供应商设备包为DO-4，单位重量为0.246918oz，Vf正向电压为1.4V，电压DC反向Vr Max为800V，电压正向Vf Max If为1.4V@6A，Vr反向电压为800V。
