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1N3296A是DIODE GEN PURP 1.2KV 100A DO205,包括散装包装,它们设计用于DO-205AA、DO-8、螺柱封装外壳,安装类型如数据表注释所示,用于底盘、螺柱安装,提供供应商设备封装功能,如DO-205AB(DO-8),速度设计用于标准恢复>500ns、>200mA(Io),以及标准二极管类型,该器件也可以用作9mA@1200V电流反向泄漏Vr。此外,正向电压Vf Max If为1.5V@100A,该设备提供1200V(1.2kV)直流反向电压Vr Max,该设备具有100A的电流平均整流Io,其工作温度结范围为-40°C ~ 200°C。
1N3295R是Microsemi制造的齐纳二极管标准整流器(trr大于500ns)。1N3295R采用DO-8封装,是二极管-齐纳-单体的一部分,支持齐纳二极管标准整流器(trr大于500ns)、二极管。
1N3296是由Microsemi制造的整流器标准整流器(trr大于500ns)。1N3296采用DO-8封装,是二极管、整流器阵列的一部分,支持整流器标准整流器(trr大于500ns)、二极管。