9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的VS-10ETF04S-M3,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。VS-10ETF04S-M3参考价格0.99231美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division VS-10ETF04S-M3封装/规格:DIODE GEN PURP 400V 10A D2PAK。您可以下载VS-10ETF04S-M3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果你找不到你想要的,你可以通过电子邮件或在线信息联系我们,例如VS-10ETF04S-M3价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系,并为您提供优质服务。
VS-10ETF04FPPBF是DIODE GEN PURP 400V 10A TO220FP,包括快速恢复整流器产品,它们设计用于管式包装,数据表注释中显示了用于10ETF04FPPABF的零件别名,该产品提供单位重量功能,例如0.090478盎司,安装样式设计用于通孔,以及to-220-2全包装包装箱,该装置也可以用作通孔安装型。此外,供应商设备包为TO-220-2全包,设备为单配置,设备速度快速恢复=200mA(Io),二极管类型为标准,正向电压Vf Max If为1.2V@10A,直流反向电压Vr Max为400V,电流平均整流Io为10A,反向恢复时间trr为200ns,其工作温度结范围为-40°C~150°C,最大工作温度范围为+150°C;最小工作温度范围-40°C,Vf正向电压为1.2 V,Vr反向电压为400 V,Ir反向电流为100 uA,If正向电流为10 A,最大浪涌电流为160 A,恢复时间为145 ns。
VS-10ETF04PBF是DIODE RECT 400V 10A TO-220,包括400 V Vr反向电压,它们设计为在1.2V@10A正向电压Vf Max下工作。如果数据表注释中显示了用于400V的直流反向电压Vr Max,提供1.2 V等正向电压特性,单位重量设计为0.211644盎司,以及TO-220AC供应商设备包,该设备也可以用作快速恢复=200mA(Io)速度。此外,反向恢复时间trr为200ns,设备的恢复时间为145 ns,设备具有产品快速恢复整流器,零件别名为10ETF04PBF,包装为管,包装箱为TO-220-2,其工作温度结范围为-40°C~150°C,安装方式为通孔,安装类型为通孔,它的最小工作温度范围为-40 C,最大浪涌电流为160 A,最大工作温度范围+150 C,Ir反向电流为100 uA,如果正向电流为10 A,二极管类型为标准,电流反向泄漏Vr为100μA@200V,电流平均整流Io为10A,配置为单一。
带有电路图的VS-10ETF04-M3,包括10A电流平均整流Io,它们设计为在100μa@400V电流反向泄漏Vr下工作,二极管类型如数据表注释所示,可用于标准中,该标准提供安装类型特征,如通孔,其工作温度结区范围为-45°C~150°C,以及to-220-2封装外壳,该装置也可以用作管包装。此外,反向恢复时间trr为200ns,设备以快速恢复=20mA(Io)速度提供,设备具有供应商设备包的TO-220AC,电压DC反向Vr Max为400V,电压正向Vf Max If为1.2V@10A。