9icnet为您提供由Semtech Corporation设计和生产的JAN1N5807US，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。2007年1月1日美国参考价格17.50094美元。Semtech Corporation JAN1N5807美国包装/规格：MIL，QPL PART，3A 50V ULTRAFAST。您可以下载JAN1N5807美国英语数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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JAN1N5806是DIODE GEN PURP 150V 2.5A AXIAL，包括军用MIL-PRF-19500/477系列，设计用于超快速恢复整流器产品，包装如数据表注释所示，用于散装，提供a、轴向、安装类型等包装箱功能。设计用于通孔，以及快速恢复=20mA（Io）速度，该器件也可以用作标准二极管类型。此外，电流反向泄漏Vr为1μA@150V，该器件提供975mV@2.5A电压正向Vf Max。如果，该器件具有150V电压直流反向Vr Max，电流平均整流Io为2.5A，反向恢复时间trr为25ns，电容Vr F为25pF@10V，1MHz，其工作温度结范围为-65°C ~ 175°C，它的最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围是-65 C，Vf正向电压为875 mV，Vr反向电压为150 V，Ir反向电流为1 uA，If正向电流为2.5 A，最大浪涌电流为35 A，恢复时间为25 ns。
JAN1N5806US是DIODE GEN PURP 150V 2.5A D5A，包括975mV@2.5A正向电压Vf Max。如果设计为在150V电压DC反向电压Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于D-5A的供应商设备包，该设备提供快速恢复=20mA（Io）等速度特性，该系列设计用于军用MIL-PRF-19500/477，以及25ns反向恢复时间trr，该设备也可以用作散装包装。此外，封装外壳为SQ-MELF，A，其工作温度结范围为-65°C~175°C，该器件具有安装型SMD/SMT，安装类型为表面安装，二极管类型为标准型，电流反向泄漏Vr为1μA@150V，电流平均整流Io为2.5A，电容Vr F为25pF@110V，1MHz。
带有电路图的JAN1N5806URS，包括25pF@10V、1MHz电容Vr F，设计用于1A电流平均整流Io，电流反向泄漏Vr如数据表注释所示，用于1μa@150V，提供二极管类型功能，如标准，安装类型设计用于表面安装，以及SMD/SMT安装类型，其工作温度结范围为-65°C~175°C。此外，包装箱为SQ-MELF，A，设备采用散装包装，设备具有25ns的反向恢复时间trr，系列为军用MIL-PRF-19500/477，速度为快速恢复=20mA（Io），供应商设备包装为A-MELF，电压直流反向Vr Max为150V，电压正向Vf Max If为875mV@1A。
