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R6020FNX是MOSFET Trans MOSFET N-CH 600V 20A，包括R6020FNX系列，它们设计用于散装包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.211644盎司，具有通孔等安装方式功能，封装盒设计用于to-220-3，以及Si技术，该器件也可以用作1信道数信道。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供20 A Id连续漏极电流，器件具有600 V Vds漏极-源极击穿电压，Rds漏极源极电阻为250 mOhm，晶体管极性为N沟道。
R6020ENZC8带有用户指南，其中包括1个N沟道晶体管类型，它们设计为与N沟道三极管极性一起工作。数据表说明中显示了用于Si的技术，提供了R6020ENZ等系列功能，包装设计为批量工作，以及1个沟道数。
带有电路图的R6020FNJTL，包括1个通道数量的通道，它们设计用于卷盘封装，系列如数据表注释所示，用于R6020FNJ，提供Si等技术特性，晶体管极性设计用于N通道以及1个N通道晶体管类型。
