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R5020213LSWA是DIODE GEN PURP 200V 125A DO205AA，包括散装包装，它们设计用于DO-205AA、DO-8、螺柱包装箱，安装类型如数据表注释所示，用于底盘、螺柱安装，提供供应商设备包装功能，如DO-205AB（DO-8），速度设计用于标准恢复>500ns、>200mA（Io），与标准二极管类型一样，该器件也可以用作45mA@200V电流反向泄漏Vr。此外，电压正向Vf Max If为2.5V@470A，该器件提供200V电压直流反向Vr Max，该器件具有125A的电流平均整流Io，反向恢复时间trr为700ns，其工作温度结范围为-40°C ~ 150°C。
R5020210RSWA和用户指南，包括2.7V@100A电压正向Vf Max，如果设计为在200V电压直流反向Vr Max下运行，供应商设备包如数据表注释所示，用于DO-205AA（DO-8），提供速度特性，如快速恢复=20mA（Io），反向恢复时间trr设计为300ns，以及散装包装，该设备也可以用作DO-205AA、DO-8、螺柱封装外壳，其工作温度结范围为-40°C~150°C，该设备提供底盘螺柱安装型，该设备具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为45mA@200V，电流平均整流Io为100A。
R5019ANJTL是MOSFET Nch 500V 19A MOSFET，包括19 A Id连续漏极电流，其最大工作温度范围为+150 C，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供TO-263-3等封装外壳功能，封装设计为在卷筒中工作，以及100 W Pd功耗，该设备也可以用作R5019ANJ系列。此外，该技术为硅，该器件提供N沟道晶体管极性，该器件的单位重量为0.068654盎司，Vds漏极-源极击穿电压为500 V。
