9icnet为您提供由GeneSiC Semiconductor设计和生产的1N6097R，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。1N6097R参考价格为22.86273美元。GeneSiC半导体1N6097R封装/规格：DIODE SCHOTTKY REV 30V DO5。您可以下载1N6097R英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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1N6096R是二极管肖特基REV 40V DO4，包括1N60系列，它们设计用于肖特基二极管产品，包装如数据表注释所示，用于散装，提供单位重量功能，如0.246918盎司，安装样式设计用于通孔，以及DO-203AA、DO-4、螺柱封装盒，该设备也可作为Si技术使用。此外，安装类型为底座、螺柱安装，该设备在DO-4供应商设备包中提供，该设备的速度快速恢复=200mA（Io），二极管类型为肖特基、反极性，电流反向泄漏Vr为2mA@220V，电压正向Vf Max If为580mV@25A，电压直流反向Vr Max为40V，电流平均整流Io为25A，它的工作温度结范围为-55°C~150°C，最大工作温度范围为+150°C；最小工作温度范围-55°C，Vf正向电压为0.75 V，Ir反向电流为1 uA；如果正向电流为25 A，Vrm重复反向电压为40 V，Ifsm正向浪涌电流为800 A。
1N6096是DIODE SCHOTTKY 40V 25A DO4，包括40V Vrm重复反向电压，它们设计用于在580mV@25A电压正向Vf Max下工作。如果数据表注释中显示了用于40V的电压直流反向Vr Max，其提供了0.75 V等Vf正向电压特性，单位重量设计用于0.246918盎司，以及Si技术，该设备也可以用作DO-4供应商设备包。此外，速度为快速恢复=20mA（Io），该设备为1N60系列，该设备具有肖特基二极管产品，包装为散装，包装箱为DO-203AA、DO-4、螺柱，其工作温度接合范围为-55°C~150°C，安装方式为通孔，安装类型为底盘、螺柱安装，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Ir反向电流为1 uA，Ifsm正向浪涌电流为800 A，Ifs正向电流为25 A，二极管类型为肖特基，电流反向泄漏Vr为2mA@20V，电流平均整流Io为25 A。
1N6097，带有Microsem制造的电路图。1N6097采用模块封装，是模块的一部分，二极管肖特基30V 50A底盘，螺柱安装DO-203AB，肖特基二极管和整流器30V-50A肖特基整流器。
