9icnet为您提供由DComponents设计和生产的ES2GSMA，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。ES2GSMA参考价格为0.34480美元。D组件ES2GSMA包装/规格：SF Rect，400V，2.000A，25ns。您可以下载ES2GSMA英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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ES2G-M3/52T是DIODE GEN PURP 400V 2A DO214AA，包括磁带和卷轴（TR）交替包装包装，它们设计为与DO-214AA、SMB包装箱一起工作，安装类型如数据表注释所示，用于表面安装，提供供应商设备包功能，如DO-214AB（SMB），速度设计为在快速恢复=20mA（Io）下工作，与标准二极管类型一样，该器件也可以用作10μA@400V电流反向泄漏Vr。此外，正向电压Vf Max If为1.1V@2A，该设备提供400V电压DC反向Vr Max，该设备具有2A的电流平均整流Io，反向恢复时间trr为50ns，电容Vr F为15pF@4V，1MHz，其工作温度结范围为-55°C ~ 150°C。
带有用户指南的ES2G-M3/5BT，包括1.1V@2A电压正向Vf Max。如果它们设计为在400V电压直流反向Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于DO-214AA（SMB）的供应商设备包，该设备提供快速恢复=20mA（Io）等速度功能，反向恢复时间trr设计为50ns，除了磁带和卷轴（TR）交替包装包装外，该设备还可以用作DO-214AA、SMB包装箱，其工作温度结范围为-55°C~150°C，该设备为表面安装型，该设备具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为10μa@400V，电流平均整流Io为2A，电容Vr F为15pF@4V，1MHz。
ES2GTR是DIODE GEN PURP 400V 2A SMA，包括25pF@4V，1MHz电容Vr F，它们设计用于2A电流平均整流Io，电流反向泄漏Vr如数据表注释所示，用于5μa@400V，提供二极管类型功能，如标准，安装类型设计用于表面安装，它的工作温度结范围为-55°C~150°C，该器件也可以用作DO-214AC、SMA封装盒。此外，包装为Digi-ReelR替代包装，该设备以35ns反向恢复时间trr提供，该设备的速度快速恢复=200mA（Io），供应商设备包装为SMA（DO-214AC），电压DC反向Vr Max为400V，电压正向Vf Max If为1.25V@2A。
ES2G-TR和CPO制造的EDA/CAD模型。ES2G-TR采用DO214AA封装，是IC芯片的一部分。
