9icnet为您提供由DComponents设计和生产的ES2C，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。ES2C参考价格为0.35967美元。D组件ES2C封装/规格：SF Rect，150V，2.00A，20ns。您可以下载ES2C英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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ES2B-TP是DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AC，包括ES2系列，它们设计用于超快速恢复整流器产品，包装如数据表注释所示，用于Digi-ReelR替代包装，提供单位重量功能，如106 mg，安装样式设计用于SMD/SMT，以及DO-214AC，SMA包装箱，该装置也可以用作表面安装型。此外，供应商设备包为DO-214AC（HSMA），该设备为单配置，设备速度快速恢复=20mA（Io），二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为5μa@100V，电压正向Vf Max If为975mV@2A，电压直流反向Vr Max为100V，电流平均整流Io为2A，反向恢复时间trr为50ns，其工作温度结范围为-50°C~150°C，最大工作温度范围为+150 C，Vr反向电压为100 V，Ir反向电流为5 uA，如果正向电流为2 A，最大浪涌电流为50 A。
ES2B-M3/52T是DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AA，包括900mV@2A电压正向Vf Max。如果它们设计为在100V电压直流反向Vr Max下工作，则数据表说明中显示了用于DO-214AA（SMB）的供应商设备包，该设备提供快速恢复=20mA（Io）、反向恢复时间trr设计为在30ns内工作等速度特性，除了磁带和卷轴（TR）交替包装包装外，该设备还可以用作DO-214AA、SMB包装箱，其工作温度结范围为-55°C~150°C，该设备为表面安装型，该设备具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为10μa@100V，电流平均整流Io为2A，电容Vr F为18pF@4V，1MHz。
带有电路图的ES2B-M3/5BT，包括18pF@4V、1MHz电容Vr F，它们设计用于2A电流平均整流Io，电流反向泄漏Vr如数据表注释所示，用于10μa@100V，提供标准等二极管类型功能，安装类型设计用于表面安装，其工作温度结范围为-55°C~150°C，该设备也可以用作DO-214AA、SMB封装盒。此外，包装为磁带和卷轴（TR）交替包装，设备提供30ns反向恢复时间trr，设备速度快速恢复=20mA（Io），供应商设备包装为DO-214AA（SMB），电压DC反向Vr Max为100V，电压正向Vf Max If为900mV@2A。
