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UES1103SM是DIODE GEN PURP 150V 2.5A A-MELF，包括散装包装，它们设计为采用通孔安装方式运行，数据表说明中显示了用于SQ-MELF，A的包装箱，提供表面安装等安装类型功能，供应商设备包设计为在A-MELF中运行，以及快速恢复=20mA（Io）速度，该器件也可以用作标准二极管类型。此外，电流反向泄漏Vr为2μA@150V，该器件提供975mV@2A电压正向Vf Max。如果，该器件具有150V电压直流反向Vr Max，电流平均整流Io为2.5A，反向恢复时间trr为25ns，其工作温度结范围为175°C（Max）。
UES1104是DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL，包括1.25V@1A电压正向Vf Max。如果设计为在200V电压直流反向Vr Max下运行，速度如数据表注释所示，用于快速恢复=20mA（Io），提供反向恢复时间trr功能，如50ns，包装设计为批量工作，其工作温度结范围为-55°C~150°C。此外，安装类型为通孔，该器件为标准二极管类型，该器件具有10μa@200V电流反向泄漏Vr，电流平均整流Io为1A。
UES1106是二极管GEN PURP 400V 1A AXIAL，包括1A电流平均整流Io，它们设计为在400V电流反向泄漏Vr下工作10μa，二极管类型如数据表注释所示，用于标准中，该标准提供安装类型特征，如通孔，其工作温度结区范围为-55°C~150°C，以及a，轴向封装外壳，该装置也可以用作散装包装。此外，反向恢复时间trr为50ns，设备提供快速恢复=200mA（Io）速度，设备具有400V电压DC反向Vr Max，电压正向Vf Max If为1.25V@1A。
