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JATXV1N5416US，带有引脚细节，包括军用MIL-PRF-19500/411系列，它们设计用于散装包装，数据表注释中显示了用于SQ-MELF，B的包装箱，提供表面安装等安装类型功能，供应商设备包设计用于D-5B，以及快速恢复=20mA（Io）速度，该器件也可以用作标准二极管类型。此外，电流反向泄漏Vr为1μA@100V，该器件提供1.5V@9A电压正向Vf Max。如果，该器件具有100V电压直流反向Vr Max，电流平均整流Io为3A，反向恢复时间trr为150ns，其工作温度结范围为-65°C ~ 175°C。
JATXV1N5417US带有用户指南，其中包括1.5V@9A电压正向Vf Max，如果设计用于200V电压直流反向Vr Max，则供应商设备包如数据表注释所示，用于D-5B，提供快速恢复=20mA（Io）等速度特性，该系列设计用于军用MIL-PRF-19500/411，以及150ns反向恢复时间trr，该装置也可以用作散装包装。此外，封装外壳为SQ-MELF，B，其工作温度结范围为-65°C~175°C，器件具有安装型表面安装，二极管类型为标准型，电流反向泄漏Vr为1μa@200V，电流平均整流Io为3A。
JATXV1N5417是DIODE GEN PURP 200V 3A AXIAL，包括3A电流平均整流Io，它们设计为在200V电流反向泄漏Vr下工作1μa，二极管类型如数据表注释所示，用于标准中，提供安装类型特征，如通孔，其工作温度结范围为-65°C~175°C，以及B，轴向封装外壳，该装置也可以用作散装包装。此外，反向恢复时间trr为150ns，该设备在军用MIL-PRF-19500/411系列中提供，该设备的速度快速恢复=200mA（Io），电压DC反向Vr Max为200V，电压正向Vf Max If为1.5V@9A。
