9icnet为您提供由GeneSiC Semiconductor设计和生产的FR12JR05，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。FR12JR05参考价格$6.80850。GeneSiC半导体FR12JR05封装/规格：DIODE GEN PURP REV 600V 12A DO4。您可以下载FR12JR05英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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FR12JR02是DIODE GEN PURP REV 600V 12A DO4，包括FR12J系列，它们设计用于快速恢复整流器产品，包装如数据表注释所示，用于散装，提供单位重量功能，如0.246918盎司，安装方式设计用于通孔，以及DO-203AA、DO-4螺柱包装箱，该设备也可用作底盘、，螺柱安装安装类型。此外，供应商设备包为DO-4，该设备以快速恢复=20mA（Io）速度提供，该设备具有标准二极管型反向极性，电流反向泄漏Vr为25μa@100V，正向电压Vf Max If为800mV@12A，直流反向电压Vr Max为600V，电流平均整流Io为12A，反向恢复时间trr为250ns，其工作温度结范围为-65°C~150°C，Vf正向电压为1.4 V，Vr反向电压为600 V，Ir反向电流为25 uA，If正向电流为12 A，最大浪涌电流为180 A，恢复时间为250 ns。
FR12J02是DIODE GEN PURP 600V 12A DO4，包括600 V Vr反向电压，设计用于在800 V@12A电压正向Vf Max下工作。如果数据表注释中显示了用于600V的直流反向Vr Max，提供1.4 V等正向电压特性，单位重量设计用于0.246918盎司，以及DO-4供应商设备包，该设备也可以用作快速恢复＝200mA（Io）速度。此外，该系列为FR12J，该设备提供250ns反向恢复时间trr，该设备具有250ns的恢复时间，产品为快速恢复整流器，包装为散装，包装箱为DO-203AA、DO-4、螺柱，其工作温度接合范围为-65°C~150°C，安装方式为通孔，安装类型为底盘、螺柱安装，最大浪涌电流为180 A，Ir反向电流为25 uA，如果正向电流为12 A，二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为25μA@100V，电流平均整流Io为12A。
FR12J05是二极管GEN PURP 600V 12A DO4，包括12A电流平均整流Io，它们设计为在25μa@100V电流反向泄漏Vr下工作，二极管类型如数据表注释所示，用于标准，该标准提供了如果正向电流特性（如12A、Ir反向电流）设计为在25uA下工作，以及180A最大浪涌电流，该设备也可以用作底盘、螺柱安装型。此外，安装类型为通孔，其工作温度结范围为-65°C~150°C，装置具有DO-203AA、DO-4、包装箱螺柱，包装为散装，产品为快速恢复整流器，恢复时间为500ns，反向恢复时间trr为500ns；系列为FR12J，速度为快速恢复=20mA（Io），供应商设备包为DO-4，单位重量为0.246918oz，Vf正向电压为1.4V，电压DC反向Vr Max为600V，电压正向Vf Max If为800mV@12A，Vr反向电压为600V。
