9icnet为您提供由Rohm Semiconductor设计和生产的RFN5BM6STL，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。RFN5BM6STL参考价格为1.04000美元。Rohm Semiconductor RFN5BM6STL封装/规格：DIODE GEN PURP 600V 5A TO252。您可以下载RFN5BM6STL英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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RFN3BM2SFHTL，带有引脚细节，包括Automotive、AEC-Q101系列，它们设计用于Digi-ReelR替代包装包装，数据表说明中显示了用于to-252-3、DPak（2引线+接线片）、SC-63的包装盒，提供Si等技术特性，安装类型设计用于表面安装，以及to-252供应商设备包装，该设备也可以用作快速恢复＝200mA（Io）速度。此外，二极管类型为标准型，该器件提供10μA@200V电流反向泄漏Vr，该器件具有980mV@3A的正向电压Vf Max If，直流反向电压Vr Max为200V，电流平均整流Io为3A，反向恢复时间trr为25ns，其工作温度结范围为150°C（最大值）。
RFN2L6STE25带有用户指南，包括1.55V@1.5A电压正向Vf Max。如果设计为在600V电压直流反向Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于PMDS的供应商设备包，该设备包提供快速恢复=200mA（Io）、反向恢复时间trr设计为35ns，以及Digi-ReelR替代包装，该器件也可用作DO-214AC、SMA封装盒，其工作温度结范围为150°C（最大值），该器件为表面安装安装型，该器件具有二极管型肖特基二极管，电流反向泄漏Vr为1μa@600V，电流平均整流Io为1.5A。
带有电路图的RFN30TS6SGC11，包括30A电流平均整流Io，它们设计为在10μa@600V电流反向泄漏Vr下工作，二极管类型如数据表注释所示，用于标准中，该标准提供安装类型特征，如通孔，其工作温度结范围为150°C（最大值），以及to-247-3封装外壳，该装置也可以用作散装包装。此外，反向恢复时间trr为60ns，该设备以快速恢复=20mA（Io）速度提供，该设备具有供应商设备包的TO-247，电压DC反向Vr Max为600V，电压正向Vf Max If为1.55V@30A。
RFN30TS6DGC11，带EDA/CAD模型，包括卷筒包装。
