9icnet为您提供由GeneSiC Semiconductor设计和生产的1N1183A,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。1N1183A参考价格$8.13131。GeneSiC半导体1N1183A封装/规格:DIODE GEN PURP 50V 40A DO203AB。您可以下载1N1183A英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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1N1183是DIODE GEN PURP 50V 35A DO203AB,包括1N1183系列,它们设计用于标准回收整流器产品,包装如数据表注释所示,用于散装,提供单位重量功能,如1.005308 oz,安装样式设计用于螺柱,以及DO-203AB、DO-5螺柱包装箱,该设备也可以用作底盘,螺柱安装安装类型。此外,供应商设备包为DO-203AB,该设备的标准恢复时间大于500ns,速度大于200mA(Io),该设备具有二极管型标准,电流反向泄漏Vr为10μa@50V,正向电压Vf Max If为1.2V@35A,直流反向电压Vr Max为50V,电流平均整流Io为35A,其工作温度结范围为-65°C~190°C,Vf正向电压为1.1 V,Vr反向电压为50 V,Ir反向电流为10 uA,如果正向电流为35 A,最大浪涌电流为595 A。
1N1128AR是由Microsemi制造的整流器标准整流器(trr大于500ns)。1N1128AR采用DO-4封装,是二极管、整流器阵列的一部分,支持整流器标准整流器(trr大于500ns)、二极管。
1N1128RA是由Microsemi制造的整流器标准整流器(trr大于500ns)。1N1128RA采用DO-4封装,是二极管、整流器阵列的一部分,支持整流器标准整流器(trr大于500ns)、二极管。