9icnet为您提供由GeneSiC Semiconductor设计和生产的1N1183AR，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。1N1183AR参考价格$8.13131。GeneSiC半导体1N1183AR封装/规格：DIODE GEN PURP REV 50V 40A DO5。您可以下载1N1183AR英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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1N1183是DIODE GEN PURP 50V 35A DO203AB，包括1N1183系列，它们设计用于标准回收整流器产品，包装如数据表注释所示，用于散装，提供单位重量功能，如1.005308 oz，安装样式设计用于螺柱，以及DO-203AB、DO-5螺柱包装箱，该设备也可以用作底盘，螺柱安装安装类型。此外，供应商设备包为DO-203AB，该设备的标准恢复时间大于500ns，速度大于200mA（Io），该设备具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为10μa@50V，正向电压Vf Max If为1.2V@35A，直流反向电压Vr Max为50V，电流平均整流Io为35A，其工作温度结范围为-65°C~190°C，Vf正向电压为1.1 V，Vr反向电压为50 V，Ir反向电流为10 uA，如果正向电流为35 A，最大浪涌电流为595 A。
1N1183A是DIODE GEN PURP 50V 40A DO203AB，包括50 V Vr反向电压，它们设计用于在1.1V@40A电压正向Vf Max下工作。如果数据表注释中显示了用于50V的电压直流反向Vr Max，提供1.1 V的正向电压特性，单位重量设计用于1.005308盎司，以及DO-203AB供应商设备包，该设备还可以用作标准恢复>500ns，>200mA（Io）速度。此外，该系列为1N1183，该装置在标准回收整流器产品中提供，该装置具有大量包装，包装箱为DO-203AB、DO-5、螺柱，其工作温度结范围为-65°C~200°C，安装方式为螺柱，安装类型为底盘、螺柱安装，最大浪涌电流为800A，Ir反向电流为10uA，如果正向电流为40A，二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为10μA@50V，电流平均整流Io为40A。
1N1128RA是由Microsemi制造的整流器标准整流器（trr大于500ns）。1N1128RA采用DO-4封装，是二极管、整流器阵列的一部分，支持整流器标准整流器（trr大于500ns）、二极管。
