9icnet为您提供由GeneSiC Semiconductor设计和生产的1N5832R,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。1N5832R参考价格$21.04283。GeneSiC半导体1N5832R封装/规格:DIODE SCHOTTKY REV 20V DO5。您可以下载1N5832R英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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1N5831R是二极管肖特基REV 35V DO4,包括1N58系列,它们设计用于肖特基二极管产品,包装如数据表注释所示,用于散装,提供单位重量功能,如0.246918盎司,安装样式设计用于通孔,以及DO-203AA、DO-4螺柱封装盒,该设备也可作为Si技术使用。此外,安装类型为底座、螺柱安装,该设备在DO-4供应商设备包中提供,该设备的速度快速恢复=200mA(Io),二极管类型为肖特基、反极性,电流反向泄漏Vr为2mA@220V,电压正向Vf Max If为580mV@25A,电压直流反向Vr Max为35V,电流平均整流Io为25A,它的工作温度结范围为-55°C~150°C,最大工作温度范围为+150°C;最小工作温度范围-55°C,Vf正向电压为0.75 V,Ir反向电流为1 uA;如果正向电流为25 A,Vrm重复反向电压为35 V,Ifsm正向浪涌电流为400 A。
1N5831是DIODE SCHOTTKY 35V 25A DO4,包括35V Vrm重复反向电压,它们设计为在25A电压正向Vf Max时工作580mV,如果数据表中显示了35V中使用的电压直流反向Vr Max,提供了0.75 V等正向电压特性,单位重量设计为0.246918盎司,以及Si技术,该设备也可以用作DO-4供应商设备包。此外,速度为快速恢复=20mA(Io),该设备为1N58系列,该设备具有肖特基二极管产品,包装为散装,包装箱为DO-203AA、DO-4、螺柱,其工作温度接合范围为-55°C~150°C,安装方式为通孔,安装类型为底盘、螺柱安装,它的最小工作温度范围为-55℃,最大工作温度范围+150℃,Ir反向电流为1 uA,Ifsm正向浪涌电流为400 A,If正向电流为25 A,二极管类型为肖特基,电流反向泄漏Vr为2mA@220V,电流平均整流Io为25 A。
1N5832是二极管肖特基20V 40A DO5,包括40A电流平均整流Io,它们设计为在20mA@10V电流反向泄漏Vr下工作,二极管类型如数据表注释所示,用于肖特基,提供了如40 a的正向电流特性,Ifsm正向浪涌电流设计为在800 a下工作,以及1 uA Ir反向电流,它的最大工作温度范围为+150℃,最小工作温度范围是-65℃,该设备为底盘螺柱安装型,该设备具有安装型螺柱,其工作温度连接范围为-65℃~150℃,包装箱为DO-203AB、DO-5、螺柱,包装为散装,产品为肖特基二极管,系列为1N58,速度为快速恢复=20mA(Io),供应商设备封装为DO-5,技术为Si,单位重量为1.005308 oz,Vf正向电压为0.7V,电压DC反向Vr Max为20V,电压正向Vf Max If为520mV@40A,Vrm重复反向电压为20V。