9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的BYT56A-TR,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。BYT56A-TR参考价格为0.49500美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division BYT56A-TR封装/规格:DIODE AVLANCHE 50V 3A SOD64。您可以下载BYT56A-TR英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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BYT56A-TAP是DIODE AVLANCHE 50V 3A SOD64,其中包括快速恢复整流器产品,它们设计用于带盒(TB)替代包装包装,单位重量如数据表注释所示,用于0.030265盎司,具有通孔等安装类型功能,包装箱设计用于SOD-64、轴向以及通孔安装类型,该设备也可以用作SOD-64供应商设备包。此外,该配置为单一配置,该设备提供快速恢复=200mA(Io)速度,该设备具有二极管型雪崩,电流反向泄漏Vr为5μa@50V,正向电压Vf Max If为1.4V@3A,直流反向电压Vr Max为50V,电流平均整流Io为3A,反向恢复时间trr为100ns,其工作温度结范围为-55°C~175°C,最大工作温度范围为+175 C,最小工作温度范围-55 C,Vf正向电压为1.4 V,Vr反向电压为50 V,Ir反向电流为5 uA,If正向电流为3 A,最大浪涌电流为80 A,恢复时间为100 ns。
BYT54M-TR是DIODE AVLANCHE 1KV 1.25A SOD57,包括1.5V@1A电压正向Vf Max。如果它们设计为在1000V(1KV)电压直流反向Vr Max下运行,则数据表说明中显示了SOD-57中使用的供应商设备包,其提供了快速恢复=20mA(Io)、反向恢复时间trr设计为100ns、,除了磁带和卷轴(TR)交替包装外,该器件还可以用作SOD-57轴向包装盒,其工作温度结范围为-55°C~175°C,该器件为通孔安装型,该器件具有二极管雪崩型,电流反向泄漏Vr为5μa@1000V,电流平均整流Io为1.25A。
BYT54V1000,带有ST制造的电路图。BYT54V100可在模块包中获得,是模块的一部分。