9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的AR3PJHM3_A/H,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。AR3PJHM3_A/H参考价格为0.49500美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division AR3PJHM3_A/H封装/规格:DIODE AVLANCHE 600V 1.8A TO277A。您可以下载AR3PJHM3_A/H英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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AR3PJHM3_A/H,带引脚细节,包括Automotive、AEC-Q101、eSMPR系列,它们设计为与磁带和卷轴(TR)交替包装一起工作,数据表注释中显示了用于to-277、3-PowerDFN的包装盒,提供表面安装等安装类型功能,供应商设备包设计为在to-277A(SMPC)中工作,以及快速恢复=20mA(Io)速度,该器件也可以用作雪崩二极管类型。此外,电流反向泄漏Vr为10μA@600V,该器件提供1.6V@3A电压正向Vf Max If,该器件具有600V电压直流反向Vr Max,电流平均整流Io为1.8A,反向恢复时间trr为140ns,电容Vr F为44pF@4V,1MHz,其工作温度结范围为-55°C ~ 175°C。
AR3PJHM3/86A是二极管AVALANCHE 600V 1.8A TO277A,包括1.6V@3A正向电压Vf Max。如果设计为在600V直流反向电压Vr Max下工作,则供应商设备包如数据表注释所示,用于to-277A(SMPC),提供快速恢复=20mA(Io)等速度特性,系列设计为在eSMPR中工作,以及140ns反向恢复时间trr,该设备也可以用作磁带和卷轴(TR)包装。此外,封装外壳为TO-277,3功率DFN,其工作温度结范围为-55°C~175°C,该器件具有安装型表面安装,二极管类型为雪崩,电流反向泄漏Vr为10μa@600V,电流平均整流Io为1.8A(DC),电容Vr F为44pF@4V,1MHz。
带有电路图的AR3PJHM3/87A,包括44pF@4V、1MHz电容Vr F,设计用于1.8A(DC)电流平均整流Io、电流反向泄漏Vr,如数据表注释所示,用于10μa@600V,提供雪崩等二极管型功能,安装型设计用于表面安装,它的工作温度结范围为-55°C~175°C,该器件也可用作TO-277,3-PowerDFN封装盒。此外,包装为磁带和卷轴(TR),设备提供140ns反向恢复时间trr,设备具有系列eSMPR,速度为快速恢复=20mA(Io),供应商设备包装为TO-277A(SMPC),电压DC反向Vr最大值为600V,电压正向Vf最大值为1.6V@3A。