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1N3295A是DIODE GEN PURP 1KV 100A DO205，包括散装包装，它们设计用于DO-205AA、DO-8、螺柱封装外壳，安装类型如数据表注释所示，用于底盘、螺柱安装，提供供应商设备封装功能，如DO-205AB（DO-8），速度设计用于标准恢复>500ns、>200mA（Io），以及标准二极管类型，该器件也可以用作11mA@1000V电流反向泄漏Vr。此外，正向电压Vf Max If为1.5V@100A，该设备提供1000V（1kV）直流反向电压Vr Max，该设备具有100A的电流平均整流Io，其工作温度结范围为-40°C ~ 200°C。
1N3295AR是DIODE GEN PURP 1KV 100A DO205，包括1.5V@100A电压正向Vf Max。如果设计为在1000V（1KV）电压直流反向Vr Max下运行，则供应商设备包如数据表注释所示，用于DO-205AA（DO-8），其提供速度特性，如标准恢复>500ns，>200mA（Io），螺柱组件外壳，其工作温度范围为-40°C~200°C。此外，安装类型为底座、螺柱安装，该设备为标准二极管类型，该设备具有11mA@1000V电流反向泄漏Vr，电流平均整流Io为100A。
1N3295是Microsemi制造的齐纳二极管标准整流器（trr大于500ns）。1N3295在DO-208封装中提供，是二极管-齐纳-单体的一部分，并支持齐纳二极管标准整流器（trr大于500ns）、二极管。
1N3295R是Microsemi制造的齐纳二极管标准整流器（trr大于500ns）。1N3295R采用DO-8封装，是二极管-齐纳-单体的一部分，支持齐纳二极管标准整流器（trr大于500ns）、二极管。
