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1N5819 TR，带销细节，包括1N58系列，其设计用于磁带和卷轴（TR）交替包装包装，包装箱如数据表注释所示，用于DO-204AL、DO-41、轴向，提供安装类型功能，如通孔，供应商设备包设计用于DO-41，以及快速恢复=20mA（Io）速度，该器件也可以用作肖特基二极管型。此外，电流反向泄漏Vr为1mA@40V，该器件提供600mV@1A电压正向Vf Max。如果，该器件具有40V电压直流反向Vr Max，电流平均整流Io为1A，则其工作温度结范围为-65°C ~ 150°C。
1N5819 T/B，带有MIC制造的用户指南。1N5819 T/B采用DO-41封装，是IC芯片的一部分。
1N5819 T/P，带有SS制造的电路图。1N5819 T/P采用DO-41封装，是二极管、整流器-单体的一部分。
1N5819 TE12L，带有TOSHIBA制造的EDA/CAD模型。1N5819 TE12L采用DO214封装，是IC芯片的一部分。
