9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的50WQ10FNTRL,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。50WQ10FNTRL参考价格为0.356美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division 50WQ10FNTRL封装/规格:DIODE SCHOTTKY 100V 5.5A DPAK。您可以下载50WQ10FNTRL英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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50WQ10FNTR是DIODE SCHOTTKY 100V 5.5A DPAK,包括磁带和卷轴(TR)封装,设计用于to-252-3、DPAK(2引线+接线片)、SC-63封装盒,安装类型如数据表所示,用于表面安装,提供供应商设备封装功能,如D-PAK(to-252AA),速度设计用于快速恢复=20mA(Io),除了肖特基二极管类型之外,该器件还可以用作1mA@100V电流反向泄漏Vr。此外,正向电压Vf Max If为770mV@5A,该器件提供100V电压DC反向电压Vr Max,该器件具有5.5A的电流平均整流Io,电容Vr F为183pF@5V,1MHz,其工作温度结范围为-40°C ~ 150°C。
50WQ10FN是DIODE SCHOTTKY 100V 5.5A DPAK,包括770mV@5A正向电压Vf Max。如果它们设计用于100V直流反向电压Vr Max,则数据表说明中显示了用于D-Pak的供应商设备包,其提供快速恢复=200mA(Io)等速度功能,包装设计用于Tube,以及to-252-3、DPAK(2引线+标签),SC-63包装箱,其工作温度结范围为-40°C~150°C。此外,安装类型为表面安装,该器件为肖特基二极管类型,该器件具有1mA@100V电流反向泄漏Vr,电流平均整流Io为5.5A,电容Vr F为183pF@5V,1MHz。
带有电路图的50WQ10FN-G-T4 50WQ10 FN-G-T3可在SOT-252封装中获得,是IC芯片的一部分。