9icnet为您提供由Solid State股份有限公司设计和生产的1N3142R，该产品在9icnet现场销售，可以通过原厂和代理商等渠道购买。1N3142R参考价格15.50000美元。固态股份有限公司1N3142R封装/规格：DO8 100 AMP硅整流器。您可以下载1N3142R英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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1N3085是DIODE GEN PURP 100V 150A DO205AC，包括散装包装，它们设计用于DO-205AC、DO-30、螺柱封装外壳，安装类型如数据表注释所示，用于底盘、螺柱安装，提供供应商设备封装功能，如DO-205AA（DO-30），速度设计用于标准恢复>500ns、>200mA（Io），以及标准二极管类型，该器件也可以用作25mA@100V电流反向泄漏Vr。此外，正向电压Vf Max If为1.2V@150A，该设备提供100V电压DC反向电压Vr Max，该设备具有150A电流平均整流Io，其工作温度结范围为-65°C ~ 200°C。
1N3087R是DIODE GEN PURP 300V 150A DO205AC，包括1.2V@150A电压正向Vf Max。如果设计为在300V电压直流反向Vr Max下运行，则供应商设备包如数据表注释所示，用于DO-205AC（DO-30），提供速度特性，如标准恢复>500ns，>200mA（Io），螺柱组件外壳，其工作温度范围为-65°C~200°C。此外，安装类型为底座、螺柱安装，该设备为标准二极管类型，该设备具有17mA@300V电流反向泄漏Vr，电流平均整流Io为150A。
1N3070UR-1，带电路图，包括100mA电流平均整流Io，它们设计为在100nA@175V电流反向泄漏Vr下工作，二极管类型如数据表注释所示，用于标准中，该标准提供安装类型特征，如通孔，其工作温度结范围为-65°C~175°C，以及DO-204AA、DO-7、轴向封装外壳，该装置也可以用作散装包装。此外，反向恢复时间trr为50ns，设备以小信号=速度提供，设备具有DO-7供应商设备包，电压DC反向Vr Max为175V，电压正向Vf Max If为1V@100mA。
1N3111R是由IR制造的DIODE STD.RECOVERY。1N3111L可在MODULE封装中获得，是模块的一部分，并支持DIODE STD。RECOVERY。
