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BY268TR是DIODE GEN PURP 1.4KV 800MA SOD57，包括快速恢复整流器产品，它们设计为与磁带和卷轴（TR）交替包装包装一起使用，单位重量如数据表注释所示，用于0.013016盎司的包装，具有通孔等安装方式特征，包装箱设计为在SOD-57、轴向以及通孔安装类型中工作，该设备也可以用作SOD-57供应商设备包。此外，该配置为单一配置，该设备提供快速恢复=200mA（Io）速度，该设备具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为2μa@1400V，电压正向Vf Max If为1.25V@400mA，电压直流反向Vr Max为1400V（1.4kV），电流平均整流Io为800mA，反向恢复时间trr为400ns，它的工作温度结范围为-55°C~150°C，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围是-55 C，Vf正向电压为1.25 V（0.4 A），Vr反向电压为1400 V，Ir反向电流为2 uA，If正向电流为0.8 A，最大浪涌电流为20 A，恢复时间为400 ns。
BY268TAP是DIODE GEN PURP 1.4KV 800MA SOD57，包括1400 V Vr反向电压，它们设计为在1.25V@400mA电压正向Vf Max下工作。如果数据表注释中显示了用于1400V（1.4KV）的电压直流反向Vr Max，其提供了0.4A时1.25 V的正向电压特性，单位重量设计为0.013016盎司，除SOD-57供应商设备包外，该设备还可用于快速恢复=20mA（Io）速度。此外，反向恢复时间trr为400ns，该设备以400ns恢复时间提供，该设备具有产品快速恢复整流器，包装为磁带盒（TB）交替包装，包装箱为SOD-57，轴向，其工作温度结范围为-55°C~150°C，安装方式为通孔，安装类型为通孔，它的最小工作温度范围为-55 C，最大浪涌电流为20 A，最大工作温度范围+175 C，Ir反向电流为2 uA，If正向电流为0.8 A，二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为2μA@1400V，电流平均整流Io为800mA，配置为单一。
BY269TR是二极管AVLANCH 1.6KV 800MA SOD57，包括单一配置，它们设计用于800MA电流平均整流Io，电流反向泄漏Vr如数据表注释所示，用于2μa@1600V，提供二极管类型功能，如雪崩，如果正向电流设计用于0.8A，以及2 uA Ir反向电流，它的最大工作温度范围为+175℃。此外，最大浪涌电流为20 A，最小工作温度范围是-55℃，装置有一个安装型通孔，安装类型为通孔，其工作温度连接范围为-55℃~175℃，封装外壳为SOD-57，轴向，包装为切割胶带（CT）交替包装，产品为快速恢复整流器，恢复时间为400ns，反向恢复时间trr为400ns；速度为快速恢复=20mA（Io），供应商设备包装为SOD-57，单位重量为0.013016盎司，0.4A时Vf正向电压为1.25V，电压DC反向Vr Max为1600V（1.6kV），电压正向Vf Max If为1.25V@400mA，Vr反向电压为1600V。
BY269TAP是DIODE AVLANCHE 1.6KV 2A SOD57，包括通孔安装型，设计用于通孔安装类型。数据表说明中显示了用于磁带盒（TB）的包装，提供速度特性，如标准恢复>500ns，>200mA（Io）。包装箱设计用于SOD-57、轴向以及SOD-57供应商设备包，该设备也可以用作单一配置。此外，该产品是快速恢复整流器，该器件为雪崩二极管型，该器件具有400纳秒的恢复时间，反向恢复时间trr为2μs，电流反向泄漏Vr为2µa@1400V，平均整流电流Io为2A，最大浪涌电流为20 a，Ir反向电流为2 uA，电压直流反向Vr最大值为1600V（1.6kV），Vr反向电压为1600 V，其工作温度结范围为140°C（最大），电压正向Vf Max If为1.6V@3A，Vf正向电压为1.25 V@0.4 A，如果正向电流为0.8 A，单位重量为0.013016 oz，其最大工作温度范围为+175 C，其最小工作温度范围是-55 C。
