9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的1N4532，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。1N4532参考价格2.23499美元。Microchip Technology 1N4532包装/规格：DIODE GEN PURP 50V 125MA DO34。您可以下载1N4532英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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1N4531133是DIODE GEN PURP 75V 200MA DO35，包括汽车、AEC-Q101系列，它们设计为使用切割胶带（CT）替代包装包装，包装箱如数据表注释所示，用于DO-204AG、DO-34、轴向，提供安装类型功能，如通孔，供应商设备包设计为在DO-34中工作，该器件也可以用作标准二极管类型。此外，电流反向泄漏Vr为25nA@220V，器件提供1V@10mA电压正向Vf Max。如果，器件具有75V电压直流反向Vr Max，电流平均整流Io为200mA，反向恢复时间trr为4ns，电容Vr F为4pF@0V，1MHz，其工作温度结范围为200°C（最大值）。
1N4531143是DIODE GEN PURP 75V 200MA DO34，包括1V@10mA电压正向Vf Max。如果它们设计为在75V电压直流反向Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于DO-34的供应商设备包，该DO-34提供速度特性，如小信号=，反向恢复时间trr设计为4ns，除了磁带盒（TB）替代封装外，该器件还可以用作DO-204AG、DO-34轴向封装盒，其工作温度结范围为200°C（最大值），该器件为通孔安装型，该器件具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为25nA@220V，电流平均整流Io为200mA（DC），而电容Vr F在0V、1MHz时为4pF。
1N4531UR，带电路图，包括125mA电流平均整流Io，它们设计为在500nA@75V电流反向泄漏Vr下工作，二极管类型如数据表注释所示，可用于标准中，该标准提供表面安装等安装类型功能，其工作温度结范围为-65°C~175°C，以及DO-213AA封装盒，该装置也可以用作散装包装。此外，反向恢复时间trr为20ns，该设备以小信号=速度提供，该设备具有供应商设备包的DO-213AA，电压DC反向Vr Max为75V，电压正向Vf Max If为1.2V@100mA。
