9icnet为您提供NXP USA Inc.设计生产的BAW62143，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂、代理商等渠道购买。BAW62143参考价格为0.02000美元。NXP USA Inc.BAW62143包装/规格：二极管GEN PURP 75V 250MA ALF2。您可以下载BAW62143英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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BAW62133是DIODE GEN PURP 75V 250MA ALF2，包括磁带盒（TB）封装，设计用于DO-204AH、DO-35轴向封装盒，安装类型如数据表注释所示，用于通孔，提供供应商设备封装功能，如ALF2，速度设计用于快速恢复=20mA（Io），以及标准二极管类型，该器件还可以用作5μA@75V电流反向泄漏Vr。此外，电压正向Vf Max If为1V@100mA，该器件提供75V电压直流反向Vr Max，该器件具有250mA（DC）的电流平均整流Io，反向恢复时间trr为4ns，电容Vr F为2pF@0V，1MHz，其工作温度结范围为200°C（最大值）。
BAW62113是DIODE GEN PURP 75V 250MA ALF2，包括1V@100mA电压正向Vf Max。如果它们设计为在75V电压直流反向Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于ALF2的供应商设备包，其提供速度特性，如快速恢复=20mA（Io）、反向恢复时间trr设计为4ns，以及切割胶带（CT）封装，该器件也可以用作DO-204AH、DO-35、轴向封装外壳，其工作温度结范围为200°C（最大值），该器件为通孔安装型，该器件具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为5μa@75V，电流平均整流Io为250mA（DC），电容Vr F为2pF@0V，1MHz。
BAW62是DIODE GEN PURP 75V 300MA DO35，包括2pF@0V，1MHz电容Vr F，它们设计用于300MA电流平均整流Io，电流反向泄漏Vr如数据表注释所示，用于5μa@75V，提供二极管类型功能，如标准，安装类型设计用于通孔，它的工作温度结范围为175°C（最大值），该装置也可以用作DO-204AH、DO-35、轴向包装箱。此外，包装为散装，该设备以4ns反向恢复时间trr提供，该设备的速度快速恢复=200mA（Io），供应商设备包装为DO-35，电压DC反向Vr Max为75V，电压正向Vf Max If为1V@100mA。
