9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的EGL34D/1，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。EGL34D/1参考价格$0.404。Vishay General Semiconductor-Diodes Division EGL34D/1封装/规格：DIODE GEN PURP 200V 500MA DO213。您可以下载EGL34D/1英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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EGL34CHE3/98是DIODE GEN PURP 150V 500MA DO213，包括SUPERCTIFIERR系列，它们设计用于超快速恢复整流器产品，包装如数据表注释所示，用于胶带和卷轴（TR）替代包装，提供单位重量功能，如0.001199盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及DO-213AA（玻璃）包装箱，该装置也可以用作表面安装型。此外，供应商设备包为DO-213AA（GL34），该设备为单配置，设备速度快速恢复=200mA（Io），二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为5μa@150V，电压正向Vf Max If为1.25V@500mA，电压直流反向Vr Max为150V，电流平均整流Io为500mA，反向恢复时间trr为50ns，电容Vr F为7pF@4V，1MHz，工作温度结范围为-65°C ~ 175°C，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-65 C，Vf正向电压为1.25 V，Vr反向电压为150 V，Ir反向电流为5 uA，如果正向电流为500mA，最大浪涌电流为10A，恢复时间为50ns。
EGL34CHE3/83是DIODE GEN PURP 150V 500MA DO213，包括1.25V@500MA电压正向Vf Max。如果它们设计为在150V电压直流反向Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于DO-213AA（GL34）的供应商设备包，其提供快速恢复=200mA（Io）等速度功能，以及50ns反向恢复时间trr，该设备也可以用作磁带和卷轴（TR）替代包装包装。此外，封装外壳为DO-213AA（玻璃），其工作温度结范围为-65°C~175°C，器件具有安装型表面安装，二极管类型为标准型，电流反向泄漏Vr为5μa@150V，电流平均整流Io为500mA，电容Vr F为7pF@4V，1MHz。
EGL34D是VISHAY公司生产的200V 0.5A汽车用2针微型MELF T/R二极管开关。EGL34D采用LL34封装，是二极管、整流器-单体的一部分，支持二极管开关200V 0.5A汽车2针迷你MELF T/R。
