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1N4448113是DIODE GEN PURP 100V 200MA ALF2，包括切割胶带（CT）替代包装包装，它们设计用于DO-204AH、DO-35轴向包装盒，安装类型如数据表注释所示，用于通孔，提供供应商设备包装功能，如ALF2，速度设计用于小信号=，以及标准二极管类型，该器件也可以用作25nA@220V电流反向泄漏Vr。此外，正向电压Vf Max If为1V@100mA，该器件提供100V电压DC反向电压Vr Max，该器件具有200mA（DC）电流平均整流Io，反向恢复时间trr为4ns，电容Vr F为4pF@0V，1MHz，其工作温度结范围为200°C（最大值）。
1N4448133是DIODE GEN PURP 100V 200MA ALF2，包括1V@100mA电压正向Vf Max。如果它们设计为在100V电压直流反向Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于ALF2的供应商设备包，该设备提供了小信号=、反向恢复时间trr等速度特性，除了切割胶带（CT）替代包装外，该器件还可以用作DO-204AH、DO-35轴向包装盒，其工作温度结范围为200°C（最大值），该器件采用通孔安装型，该器件具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为25nA@220V，电流平均整流Io为200mA（DC），而电容Vr F在0V、1MHz时为4pF。
1N4448 TR是DIODE GEN PURP 100V 150MA DO35，包括4pF@0V，1MHz电容Vr F，它们设计用于150MA电流平均整流Io，电流反向泄漏Vr如数据表注释所示，用于25nA@20V，提供二极管类型功能，如标准，安装类型设计用于通孔，它的工作温度范围为-65°C~200°C，该设备也可以用作DO-204AH、DO-35、轴向包装箱。此外，包装为切割胶带（CT）交替包装，设备以4ns反向恢复时间trr提供，设备具有小信号=速度，供应商设备包装为DO-35，电压DC反向Vr Max为100V，电压正向Vf Max If为1V@100mA。
