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1N4448113是DIODE GEN PURP 100V 200MA ALF2，包括切割胶带（CT）替代包装包装，它们设计用于DO-204AH、DO-35轴向包装盒，安装类型如数据表注释所示，用于通孔，提供供应商设备包装功能，如ALF2，速度设计用于小信号=，以及标准二极管类型，该器件也可以用作25nA@220V电流反向泄漏Vr。此外，正向电压Vf Max If为1V@100mA，该器件提供100V电压DC反向电压Vr Max，该器件具有200mA（DC）电流平均整流Io，反向恢复时间trr为4ns，电容Vr F为4pF@0V，1MHz，其工作温度结范围为200°C（最大值）。
1N4448 TR是DIODE GEN PURP 100V 150MA DO35，包括1V@100mA电压正向Vf Max。如果设计为在100V电压直流反向Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于DO-35的供应商设备包，该DO-35提供速度特性，如小信号=，反向恢复时间trr设计为4ns，除了切割胶带（CT）替代包装外，该器件还可以用作DO-204AH、DO-35、轴向包装盒，其工作温度结范围为-65°C~200°C，该器件为通孔安装型，该器件具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为25nA@220V，电流平均整流Io为150mA，而电容Vr F在0V、1MHz时为4pF。
1N4447TR是DIODE GEN PURP 100V DO35，包括标准二极管类型，它们设计用于通孔安装型，其工作温度结范围为175°C（最大值），提供DO-204AH、DO-35、轴向等封装外壳功能，>200mA（Io）速度，该设备也可作为DO-35供应商设备包使用。此外，电压DC反向Vr Max为100V。
