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1N4447是DIODE GEN PURP 75V 200MA DO35，包括散装包装，它们设计用于0.004445 oz单位重量的操作，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供DO-204AH、DO-35、轴向等包装箱功能，安装类型设计用于通孔以及DO-35供应商设备包，该设备也可以用作单一配置。此外，速度为小信号=，该设备为标准二极管类型，该设备具有25nA@220V电流反向泄漏Vr，电压正向Vf Max If为1V@20mA，电压直流反向Vr Max为75V，电流平均整流Io为200mA，反向恢复时间trr为4ns，其工作温度结范围为-65°C~150°C，Pd功耗为500mW，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-65 C，Vf正向电压为1 V，Ir反向电流为25 nA，如果正向电流为200 mA，Vrm重复反向电压为100 V，Ifsm正向浪涌电流为4 A，trr反向恢复时间为4 ns。
1N4448 TR是DIODE GEN PURP 100V 150MA DO35，包括1V@100mA电压正向Vf Max。如果设计为在100V电压直流反向Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于DO-35的供应商设备包，该DO-35提供速度特性，如小信号=，反向恢复时间trr设计为4ns，除了切割胶带（CT）替代包装外，该器件还可以用作DO-204AH、DO-35、轴向包装盒，其工作温度结范围为-65°C~200°C，该器件为通孔安装型，该器件具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为25nA@220V，电流平均整流Io为150mA，而电容Vr F在0V、1MHz时为4pF。
1N4447TR是DIODE GEN PURP 100V DO35，包括标准二极管类型，它们设计用于通孔安装型，其工作温度结范围为175°C（最大值），提供DO-204AH、DO-35、轴向等封装外壳功能，>200mA（Io）速度，该设备也可作为DO-35供应商设备包使用。此外，电压DC反向Vr Max为100V。
