9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的HFA08TB120STRR，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。HFA08TB120STRR参考价格为1.302美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division HFA08TB120STRR封装/规格：DIODE GEN PURP 1.2KV 8A D2PAK。您可以下载HFA08TB120STRR英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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HFA08TB120STRL是DIODE GEN PURP 1.2KV 8A D2PAK，包括HEXFREDR系列，它们设计用于磁带和卷轴（TR）包装，包装箱如数据表注释所示，用于to-263-3、D2PAK（2引线+接线片）、to-263AB，提供表面安装等安装类型功能，供应商设备包设计用于D2PAK，以及快速恢复=20mA（Io）速度，该器件也可以用作标准二极管类型。此外，电流反向泄漏Vr为10μA@1200V，该器件提供3.3V@8A电压正向Vf Max If，该器件具有1200V（1.2kV）电压直流反向Vr Max，电流平均整流Io为8A，反向恢复时间trr为95ns，其工作温度结范围为-55°C ~ 150°C。
HFA08TB120S是DIODE GEN PURP 1.2KV 8A D2PAK，包括3.3V@8A正向电压Vf Max。如果设计为在1200V（1.2KV）直流反向电压Vr Max下运行，则数据表说明中显示了D2PAK中使用的供应商设备包，该D2PAK提供快速恢复=20mA（Io）等速度特性，该装置也可以用作管包装。此外，封装外壳为TO-263-3、D2Pak（2引线+接线片）、TO-263AB，其工作温度结范围为-55°C~150°C，器件具有安装型表面安装，二极管类型为标准型，电流反向泄漏Vr为10μa@1200V，电流平均整流Io为8A。
HFA08TB120PBF是VISHAY制造的DIODE GEN PURP 1.2KV 8A TO220AC。HFA08TB120PBF提供TO-220封装，是二极管、整流器-单个的一部分，并支持二极管GEN PURP 1.2KV 8A TO220AC。
