9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的HFA08PB120，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。HFA08PB120参考价格$3.824。Vishay General Semiconductor-Diodes Division HFA08PB120封装/规格：DIODE GEN PURP 1.2KV 8A TO247AC。您可以下载HFA08PB120英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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HFA06TB120STRL是DIODE GEN PURP 1.2KV 6A D2PAK，包括HEXFREDR系列，它们设计用于磁带和卷轴（TR）包装，包装箱如数据表注释所示，用于to-263-3、D2PAK（2引线+标签）、to-263AB，提供表面安装等安装类型功能，供应商设备包设计用于D2PAK，以及快速恢复=20mA（Io）速度，该器件也可以用作标准二极管类型。此外，电流反向泄漏Vr为5μA@1200V，该器件提供3V@6A电压正向Vf Max If，该器件具有1200V（1.2kV）电压直流反向Vr Max，电流平均整流Io为6A，反向恢复时间trr为80ns，其工作温度结范围为-55°C ~ 150°C。
HFA06TB120STRR是DIODE GEN PURP 1.2KV 6A D2PAK，包括3V@6A电压正向Vf Max。如果它们设计为在1200V（1.2KV）电压直流反向Vr Max下运行，则数据表说明中显示了D2PAK中使用的供应商设备包，该D2PAK提供快速恢复=20mA（Io）等速度特性，该设备也可以用作磁带和卷轴（TR）包装。此外，封装外壳为TO-263-3、D2Pak（2引线+接线片）、TO-263AB，其工作温度结范围为-55°C~150°C，器件具有安装型表面安装，二极管类型为标准型，1200V时电流反向泄漏Vr为5μa，电流平均整流Io为6A。
HFA06TB120S是DIODE GEN PURP 1.2KV 6A D2PAK，包括6A电流平均整流Io，它们设计为在1200V电流反向泄漏Vr下工作5μa，二极管类型如数据表注释所示，用于标准中，该标准提供了表面安装等安装类型功能，其工作温度结范围为-55°C~150°C，以及to-263-3，D2Pak（2引线+接线片），TO-263AB包装盒，该设备也可用作管包装。此外，反向恢复时间trr为80ns，该设备为HEXFREDR系列，该设备的速度快速恢复=200mA（Io），供应商设备包为D2PAK，直流反向电压Vr Max为1200V（1.2kV），正向电压Vf Max If为3V@6A。
