9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的HFA08SD60S,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。HFA08SD60S参考价格为0.59美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division HFA08SD60S封装/规格:DIODE GEN PURP 600V 8A DPAK。您可以下载HFA08SD60S英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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HFA06TB120STRR是DIODE GEN PURP 1.2KV 6A D2PAK,包括HEXFREDR系列,它们设计用于磁带和卷轴(TR)包装,包装箱如数据表注释所示,用于to-263-3、D2PAK(2引线+接线片)、to-263AB,提供表面安装等安装类型功能,供应商设备包设计用于D2PAK,以及快速恢复=20mA(Io)速度,该器件也可以用作标准二极管类型。此外,电流反向泄漏Vr为5μA@1200V,该器件提供3V@6A电压正向Vf Max If,该器件具有1200V(1.2kV)电压直流反向Vr Max,电流平均整流Io为6A,反向恢复时间trr为80ns,其工作温度结范围为-55°C ~ 150°C。
HFA08PB120是DIODE GEN PURP 1.2KV 8A TO247AC,包括3.3V@8A正向电压Vf Max。如果设计为在1200V(1.2KV)直流反向电压Vr Max下运行,则数据表说明中显示了用于to-247AC改进型的供应商设备包,其提供速度特性,如快速恢复=20mA(Io),系列设计用于HEXFREDR,以及95ns反向恢复时间trr,该设备也可以用作管包装。此外,封装外壳为TO-247-2,其工作温度结范围为-55°C~150°C,器件具有安装型通孔,二极管类型为标准型,电流反向泄漏Vr为10μa@1200V,电流平均整流Io为8A。
HFA08PB60是二极管GEN PURP 600V 8A TO247AC,包括8A电流平均整流Io,它们设计为在600V电流反向泄漏Vr下工作5μa,二极管类型如数据表注释所示,用于标准中,该标准提供安装类型特征,如通孔,其工作温度结区范围为-55°C~150°C,以及to-247-2封装外壳,该装置也可以用作管包装。此外,反向恢复时间trr为55ns,该设备以快速恢复=20mA(Io)速度提供,该设备具有TO-247AC改进型供应商设备包,电压DC反向Vr Max为600V,电压正向Vf Max If为1.7V@8A。