9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的HFA08TB60S,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。HFA08TB60S价格参考1.84美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division HFA08TB60S封装/规格:DIODE GEN PURP 600V 8A D2PAK。您可以下载HFA08TB60S英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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HFA08TB60PBF是DIODE GEN PURP 600V 8A TO220AC,包括HEXFREDR系列,它们设计用于超快速恢复整流器产品,包装如数据表注释所示,用于管中,提供单位重量功能,如0.211644盎司,安装类型设计用于通孔,其工作温度范围为-55 C至+150 C,该装置也可用作TO-220-2包装箱。此外,安装类型为通孔,该设备在TO-220AC供应商设备包中提供,该设备具有单一配置,速度为快速恢复=20mA(Io),二极管类型为标准型,电流反向泄漏Vr为5μa@600V,正向电压Vf Max If为1.7V@8A,直流反向电压Vr Max为600V,电流平均整流Io为8A,反向恢复时间trr为55ns,工作温度结范围为-55°C~150°C,最大工作温度范围为+150 C,最小工作温度范围-55 C,16 A时Vf正向电压为2.1 V,Vr反向电压为600 V,Ir反向电流为5 uA,如果正向电流为8 A,最大浪涌电流为60 A,恢复时间为55ns。
HFA08TB60是DIODE GEN PURP 600V 8A TO220AC,包括1.7V@8A正向电压Vf Max。如果设计为在600V电压DC反向电压Vr Max下运行,则数据表说明中显示了用于to-220AC的供应商设备包,该设备提供快速恢复=20mA(Io)等速度特性,该系列设计用于HEXFREDR,以及55ns反向恢复时间trr,该装置也可以用作管包装。此外,封装外壳为TO-220-2,其工作温度结范围为-55°C~150°C,装置具有安装型通孔,二极管类型为标准型,电流反向泄漏Vr为5μa@600V,电流平均整流Io为8A。
HFA08TB60-1带有IR制造的电路图。HFA08TB6 0-1采用TO-262封装,是IC芯片的一部分。