9icnet为您提供由DComponents设计和生产的P600D，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。P600D参考价格为0.26480美元。D组件P600D包装/规格：ST Rect，200V，6A。您可以下载P600D英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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P600B-E3/54是DIODE GEN PURP 100V 6A P600，包括P600x系列，它们设计用于标准回收整流器产品，包装如数据表注释所示，用于切割胶带（CT）替代包装，提供单位重量功能，如0.074075盎司，安装样式设计用于通孔，以及P600轴向包装箱，该装置也可以用作通孔安装型。此外，供应商设备包为P600，设备为单配置，设备的标准恢复时间大于500ns，速度大于200mA（Io），二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为5μa@100V，电压正向Vf Max If为900mV@6A，电压直流反向Vr Max为100V，电流平均整流Io为6A，反向恢复时间trr为2.5μs，电容Vr F为150pF@4V，1MHz，工作温度结范围为-50°C~150°C，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-50 C，100A时Vf正向电压为1.3V，Vr反向电压为100V，Ir反向电流为5uA，如果正向电流为22A，最大浪涌电流为400A，恢复时间为2500ns。
P600B-E3/73带有用户指南，包括900mV@6A电压正向Vf Max，如果设计为在100V电压直流反向Vr Max下运行，则数据表说明中显示了P600中使用的供应商设备包，该设备提供速度特性，如标准恢复>500ns，>200mA（Io），反向恢复时间trr设计为2.5μs，以及磁带盒（TB）封装，该器件也可作为P600轴向封装外壳使用，其工作温度结范围为-50°C~150°C，该器件为通孔安装型，该器件具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为5μa@100V，电流平均整流Io为6A，电容Vr F为150pF@4V，1MHz。
P600B是DC制造的硅整流二极管。P600B采用P600封装，是IC芯片的一部分，支持硅整流二极管。
