9icnet为您提供由onsemi设计和生产的BAV20TR，该产品在9icnet现场销售，可以通过原厂和代理商等渠道购买。BAV20TR参考价格为0.362美元。onsemi BAV20TR包装/规格：DIODE GEN PURP 200V 200MA DO35。您可以下载BAV20TR英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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BAV20-TAP是DIODE GEN PURP 150V 250MA DO35，包括Automotive、AEC-Q101系列，它们设计为与磁带盒（TB）替代包装一起使用，包装箱如数据表注释所示，用于DO-204AH、DO-35、轴向，提供安装类型功能，如通孔，供应商设备包设计为在DO-35中工作，以及快速恢复=20mA（Io）速度，该器件也可以用作标准二极管类型。此外，电流反向泄漏Vr为100nA@150V，器件提供1V@100mA电压正向Vf Max。如果，器件具有150V电压反向Vr Max，电流平均整流Io为250mA（DC），反向恢复时间trr为50ns，电容Vr F为1.5pF@0V，1MHz，其工作温度结范围为175°C（Max）。
BAV203-GS18是DIODE GEN PURP 200V 250MA SOD80，包括1V@100mA电压正向Vf Max。如果它们设计为在200V电压直流反向Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于SOD-80 QuadroMELF的供应商设备包，该设备提供快速恢复=20mA（Io）等速度功能，该系列设计用于汽车、AEC-Q101、，以及50ns反向恢复时间trr，该设备也可以用作磁带和卷轴（TR）包装。此外，封装外壳为SOD-80变体，其工作温度结范围为150°C（最大值），器件具有安装型表面安装，二极管类型为标准型，电流反向泄漏Vr为100nA@200V，电流平均整流Io为250mA（DC），电容Vr F为1.5pF@0V，1MHz。
BAV203GS18是VISHAY制造的DIODE GEN PURP 200V 250MA SOD80。BAV203GS18采用SOD-80变体封装，是二极管、整流器-单体的一部分，支持二极管GEN PURP 200V 250MA SOD80。
