9icnet为您提供由GeneSiC Semiconductor设计和生产的GKN240/18，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。GKN240/18参考价格$78.71750。GeneSiC半导体GKN240/18封装/规格：DIODE GP 1.8KV 165A DO205AB。您可以下载GKN240/18英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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GKN130/14是DIODE GEN PURP 1.4KV 165A DO205，包括GKN130系列，它们设计用于散装包装，包装箱如数据表注释所示，用于DO-205AA、DO-8、螺柱，提供底盘、螺柱安装等安装类型功能。供应商设备包设计用于DO-205A a（DO-8），以及标准恢复>500ns、>200mA（Io）速度，该器件也可以用作标准二极管类型。此外，电流反向泄漏Vr为22mA@1400V，该设备的电压正向Vf Max为1.5V@60A。如果，该设备具有1400V（1.4kV）的电压反向Vr Max，电流平均整流Io为165A，其工作温度结范围为-40°C ~ 180°C。
GKN130/16是DIODE GEN PURP 1.6KV 165A DO205，包括1.5V@60A正向电压Vf Max。如果设计为在1600V（1.6KV）直流反向电压Vr Max下运行，则数据表说明中显示了DO-205AA（DO-8）中使用的供应商设备包，该DO-205AB提供速度特性，如标准恢复>500ns，>200mA（Io），除了散装包装外，该设备还可以用作DO-205AA、DO-8、螺柱包装箱，其工作温度结范围为-40°C~180°C，该设备为底盘螺柱安装型，该设备具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为22mA@1600V，电流平均整流Io为165A。
GKN130/18带有电路图，包括165A电流平均整流Io，它们设计为在22mA@1800V电流反向泄漏Vr下工作，二极管类型如数据表注释所示，用于标准中，该标准提供安装类型功能，如底盘、螺柱安装，其工作温度结区范围为-55°C~150°C，以及DO-205AA、DO-8、螺柱封装外壳，该装置也可以用作散装包装。此外，速度为标准恢复>500ns，>200mA（Io），该设备在DO-205AA（DO-8）供应商设备包中提供，该设备具有1800V（1.8kV）直流反向电压Vr Max，正向电压Vf Max If为1.5V@60A。
