9icnet为您提供由Comchip Technology设计和生产的CEFB105-G，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。CEFB105-G参考价格为2.484美元。Comchip Technology CEFB105-G封装/规格：DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AA。您可以下载CEFB105-G英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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CEFB102-G是DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AA，包括磁带和卷轴（TR）封装，它们设计用于DO-214AA SMB封装盒，安装类型如数据表注释所示，用于表面安装，提供供应商设备封装功能，如DO-214AB（SMB），速度设计用于快速恢复=20mA（Io），以及标准二极管类型，该器件还可以用作5μA@100V电流反向泄漏Vr。此外，正向电压Vf Max If为875mV@1A，该设备提供100V电压DC反向Vr Max，该设备具有1A的电流平均整流Io，反向恢复时间trr为25ns，其工作温度结范围为150°C（最大值）。
CEFB103-G是DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AA，包括875mV@1A正向电压Vf Max。如果它们设计为在200V电压DC反向Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于DO-214AA（SMB）的供应商设备包，该设备提供快速恢复=20mA（Io）等速度功能，反向恢复时间trr设计为25ns，除了Digi-ReelR封装外，该器件还可以用作DO-214AA、SMB封装盒，其工作温度结范围为150°C（最大值），该器件采用表面安装安装型，该器件具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为5μa@200V，电流平均整流Io为1A。
CEFB104-G是DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AA，包括1A电流平均整流Io，它们设计为在400V电流反向泄漏Vr下工作5μa，二极管类型如数据表注释所示，用于标准中，该标准提供安装类型功能，如表面安装，其工作温度结范围为150°C（最大值），以及DO-214AA，SMB封装外壳，该设备也可以用作Digi-ReelR包装。此外，反向恢复时间trr为35ns，该设备以快速恢复=20mA（Io）速度提供，该设备具有供应商设备包的DO-214AA（SMB），电压DC反向Vr Max为400V，电压正向Vf Max If为1.1V@1A。
