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R6021022PSYA是DIODE GEN PURP 1KV 220A DO205，包括散装包装，它们设计用于DO-205AB、DO-9、螺柱封装外壳，安装类型如数据表注释所示，用于底盘、螺柱安装，提供供应商设备封装功能，如DO-205AA、DO-9，速度设计用于快速恢复=20mA（Io），以及标准二极管类型，该器件还可以用作50mA@1000V电流反向泄漏Vr。此外，正向电压Vf Max If为2.75V@800A，该器件提供1000V（1kV）直流反向电压Vr Max，该器件具有220A的电流平均整流Io，反向恢复时间trr为500ns，其工作温度结范围为-45°C~150°C。
R6020FNX是MOSFET Trans MOSFET N-CH 600V 20A，包括600 V Vds漏极-源极击穿电压，其设计工作单位重量为0.211644 oz，数据表说明中显示了用于1 N沟道的晶体管类型，提供晶体管极性特性，如N沟道，技术设计用于Si，以及R6020FNX系列，该器件也可以用作250m欧姆Rds漏极-源极电阻。此外，包装为散装，该设备采用TO-220-3包装盒，该设备具有1个通道数，安装方式为通孔，Id连续漏电流为20A。
带有电路图的R6020FNJTL，包括1个通道数量的通道，它们设计用于卷盘封装，系列如数据表注释所示，用于R6020FNJ，提供Si等技术特性，晶体管极性设计用于N通道以及1个N通道晶体管类型。
