9icnet为您提供由onsemi设计和生产的BAS116LT1，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。BAS116LT1价格参考$0.02000。onsemi BAS116LT1包装/规格：二极管开关200MA 75V SOT23。您可以下载BAS116LT1英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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BAS116LPH4-7B是DIODE GEN PURP 85V 215MA 2DFN，包括Digi-ReelR替代包装包装，它们设计用于2-XFDFN包装盒，安装类型如数据表注释所示，用于表面安装，提供供应商设备包功能，如X2-DFN1006-2，速度设计用于标准恢复>500ns，>200mA（Io），与标准二极管类型一样，该器件也可以用作5nA@75V电流反向泄漏Vr。此外，电压正向Vf Max If为1.25V@150mA，该器件提供85V电压直流反向Vr Max，该器件具有215mA（直流）电流平均整流Io，反向恢复时间trr为3μs，电容Vr F为1.5pF@0V，1MHz，其工作温度结范围为-55°C ~ 150°C。
BAS116LP3-7是DIODE GEN PURP 85V 215MA 2DFN，包括1.35V@150mA电压正向Vf Max。如果它们设计为在85V电压直流反向Vr Max下运行，数据表说明中显示了用于2-X3-DFN0603的供应商设备包，该设备提供速度特性，如标准恢复>500ns，>200mA（Io），反向恢复时间trr设计为3μs，除了Digi-ReelR替代包装包装外，该器件还可以用作2-XFDFN封装盒，其工作温度结范围为-65°C~150°C，该器件为表面安装型，该器件具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为10nA@75V，电流平均整流Io为215mA（DC），电容Vr F为3pF@0V，1MHz。
BAS116LP-7，电路图由DIODES制造。BAS116LP-7在DFN1006-2封装中提供，是IC芯片的一部分。
