9icnet为您提供由onsemi设计和生产的MR852RL，该产品在9icnet现场销售，可以通过原厂和代理商等渠道购买。MR852RL参考价格$4.524。onsemi MR852RL包装/规格：DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD。您可以下载MR852RL英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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MR852G是DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD，包括MR852系列，它们设计用于快速恢复整流器产品，包装如数据表注释所示，用于散装替代包装，提供单位重量功能，如0.038801盎司，安装类型设计用于通孔，以及DO-201AA、DO-27、轴向包装箱，该装置也可以用作通孔安装型。此外，供应商设备包为DO-201AD，该设备为单配置，该设备的速度快速恢复=200mA（Io），二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为10μa@200V，电压正向Vf Max If为1.25V@3A，电压反向Vr Max为200V，电流平均整流Io为3A，反向恢复时间trr为300ns，工作温度结范围为-65°C~125°C，最大工作温度范围为+125 C，最小工作温度范围是-65 C，Vf正向电压为1.25 V，Vr反向电压为200 V，Ir反向电流为10 uA，如果正向电流为3 A，最大浪涌电流为100A，恢复时间为300ns。
MR852是DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD，包括1.25V@3A电压正向Vf Max。如果设计为在200V电压直流反向Vr Max下运行，则DO-201AD中使用的供应商设备包如数据表注释所示，提供快速恢复=20mA（Io）、反向恢复时间trr设计为300ns，以及散装包装，该器件也可以用作DO-201AA、DO-27、轴向封装外壳，其工作温度结范围为-65°C~125°C，该器件为通孔安装型，该器件具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为10μa@200V，电流平均整流Io为3A。
MR8520，带有SHIDENG制造的电路图。MR8520采用TO-220封装，是IC芯片的一部分。
