9icnet为您提供由onsemi设计和生产的1N5407RL，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。1N5407RL参考价格$0.04000。onsemi 1N5407RL包装/规格：DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD。您可以下载1N5407RL英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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1N5407G-T是DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD，包括1N54系列，它们设计用于标准回收整流器产品，包装如数据表注释所示，用于切割胶带（CT）替代包装，提供单位重量功能，如0.038801盎司，安装样式设计用于通孔，以及DO-201AD轴向包装箱，该装置也可以用作通孔安装型。此外，供应商设备包为DO-201AD，该设备为单配置，该设备的标准恢复时间大于500ns，速度大于200mA（Io），二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为5μa@800V，电压正向Vf Max If为1.1V@3A，电压直流反向Vr Max为800V，电流平均整流Io为3A，反向恢复时间trr为2μs，电容Vr F为40pF@4V，1MHz，工作温度结范围为-65°C~150°C，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-65 C，Vf正向电压为1.1 V，Vr反向电压为800 V，Ir反向电流为5 uA，如果正向电流为3A，最大浪涌电流为125A，恢复时间为2000ns。
1N5407GP-E3/54，带用户指南，包括1.2V@3A正向电压Vf Max。如果设计用于800V直流反向电压Vr Max，则供应商设备包如数据表注释所示，用于DO-201AD，提供速度特性，如标准恢复>500ns，>200mA（Io）。包装设计用于磁带和卷轴（TR）交替包装，以及DO-201AD，轴向包装箱，其工作温度范围为-50°C~150°C。此外，安装类型为通孔，该器件为标准二极管类型，该器件具有5μa@400V的反向电流泄漏Vr，平均整流电流Io为3A，电容Vr F为30pF@4V，1MHz。
1N5407GP-E3/73带电路图，包括30pF@4V、1MHz电容Vr F，它们设计用于3A电流平均整流Io，电流反向泄漏Vr如数据表注释所示，用于5μa@400V，提供二极管类型功能，如标准，安装类型设计用于通孔，它具有-50°C~150°C的工作温度连接范围，该设备也可以用作DO-201AD，轴向封装外壳。此外，包装为磁带盒（TB）替代包装，该设备的标准恢复时间>500ns，>200mA（Io）速度，该设备具有DO-201AD供应商设备包装，电压DC反向Vr最大值为800V，电压正向Vf最大值为1.2V@3A。
