9icnet为您提供由onsemi设计和生产的BAS16LT1，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。BAS16LT1价格参考$0.02000。onsemi BAS16LT1包装/规格：二极管开关200MA 75V SOT23。您可以下载BAS16LT1英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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BAS16LD，315是DIODE GP 100V 215MA SOD882D，包括Digi-ReelR替代封装，它们设计用于SOD-882D封装盒，安装类型如数据表注释所示，用于表面安装，提供供应商设备封装功能，如SOD882D，速度设计用于快速恢复=20mA（Io），以及标准二极管类型，该器件也可以用作500nA@80V电流反向泄漏Vr。此外，正向电压Vf Max If为1.25V@150mA，该设备提供100V电压DC反向Vr Max，该设备具有215mA（DC）的电流平均整流Io，反向恢复时间trr为4ns，电容Vr F为1.5pF@0V，1MHz，其工作温度结范围为150°C（最大值）。
BAS16L，315是DIODE GEN PURP 100V 215MA SOD882，包括1.25V@150mA电压正向Vf Max。如果它们设计为在100V电压直流反向Vr Max下运行，则数据表说明中显示了SOD-882中使用的供应商设备包，其提供快速恢复=200mA（Io）等速度特性，反向恢复时间trr设计为4ns，除了Digi-ReelR替代包装包装外，该设备还可以用作SOD-882包装盒，其工作温度结范围为150°C（最大值），该设备为表面安装安装型，该设备具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为500nA@80V，电流平均整流Io为215mA（DC），电容Vr F在0V、1MHz时为1.5pF。
BAS16LP-7是DIODE GEN PURP 75V 200MA 2DFN，包括2pF@0V，1MHz电容Vr F，设计用于200MA电流平均整流Io，电流反向泄漏Vr如数据表注释所示，用于1μa@75V，提供二极管类型功能，如标准，安装类型设计用于表面安装，它的工作温度结范围为-65°C~150°C，该器件也可以用作2-UFDFN封装盒。此外，包装为Digi-ReelR替代包装，该设备以4ns反向恢复时间trr提供，该设备具有小信号=速度，供应商设备包装为2-DFN1006（1.0x0.6），电压DC反向Vr最大值为75V，电压正向Vf最大值为1.25V@150mA。
BAS16LP-7-F，带有DIODES制造的EDA/CAD模型。BAS16LP-7-F在DFN1006封装中提供，是IC芯片的一部分。
